Post-CMP清洗設(shè)備
主要優(yōu)勢
在CMP步驟之后,需要在低溫下使用稀釋的化學(xué)品進(jìn)行物理預(yù)清洗工藝,以減少顆粒數(shù)量。盛美上海的Post-CMP清洗設(shè)備能夠滿足這些要求,并提供多種配置,包括盛美上海自主研發(fā)的 Smart MegasonixTM先進(jìn)清洗技術(shù)。
特性和規(guī)格(Ultra C WPN(WIDO))
在線預(yù)清洗設(shè)備:
可實現(xiàn)37納米以下少于15個剩余顆?;?8納米以下
20-25個剩余顆粒
金屬污染可控制在1E+8(原子/平方厘米)以內(nèi)
當(dāng)配置4個腔體的時候,產(chǎn)能可達(dá)每小時35片晶圓
離線預(yù)清洗設(shè)備:
可實現(xiàn)37納米以下少于15個剩余顆?;?8納米以下
20-25個剩余顆粒
占地面積小
特性和規(guī)格(Ultra C WPN(DIDO))
可配置四個裝載端口
占地面積小
可配置四或六個腔體,分別為兩個軟刷和兩個清洗腔體或兩個軟刷和四個清洗腔體
可實現(xiàn)37納米以下少于15個剩余顆?;?8納米以下20-25個剩余顆粒
產(chǎn)能可達(dá)每小時60片晶圓
