濕法EKC清洗機(jī)是半導(dǎo)體制造中用于高效去除晶圓表面污染物的關(guān)鍵設(shè)備，其核心通過化學(xué)濕法工藝結(jié)合機(jī)械作用實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)清潔。以下是對(duì)該產(chǎn)品的詳細(xì)介紹：

功能特點(diǎn)

多槽式協(xié)同清洗：通常配備預(yù)清洗、酸洗、EKC溶液清洗、中和漂洗及烘干等多個(gè)槽體，分階段去除光刻膠、氧化物、金屬殘留及顆粒污染物。例如，酸洗槽使用HF溶液溶解氧化層，EKC槽通過羥胺、鄰苯二酚等有機(jī)溶劑去除有機(jī)物和金屬離子，最后通過IPA或熱風(fēng)干燥確保晶圓表面無水漬。

化學(xué)與物理結(jié)合的高效清潔：在化學(xué)腐蝕基礎(chǔ)上，集成機(jī)械拋動(dòng)（如旋轉(zhuǎn)或振動(dòng)裝置）加速反應(yīng)，提升清洗均勻性（可達(dá)±1.5%）。部分機(jī)型可選配超聲波輔助，利用高頻振動(dòng)剝離頑固顆粒，尤其適用于深孔或復(fù)雜結(jié)構(gòu)。

自動(dòng)化與智能化控制：采用PLC或工業(yè)電腦系統(tǒng)，支持參數(shù)化設(shè)定（時(shí)間、溫度、流速等），實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)運(yùn)行。配備在線監(jiān)測(cè)功能（如電導(dǎo)率、pH傳感器），實(shí)時(shí)調(diào)整藥液濃度和溫度（±0.1℃精度），并支持?jǐn)?shù)據(jù)追溯與MES對(duì)接，優(yōu)化工藝穩(wěn)定性。

高潔凈度與顆粒控制：通過多槽分步處理和液體循環(huán)設(shè)計(jì)，顆粒去除率≥97%（≥0.06μm），滿足RCA清洗標(biāo)準(zhǔn)。槽內(nèi)流體動(dòng)力學(xué)優(yōu)化（如勻流板、循環(huán)泵）確保各區(qū)域濃度一致，避免局部腐蝕或殘留。

環(huán)保與安全設(shè)計(jì)：封閉式腔體搭配HEPA過濾系統(tǒng)，維持Class 10級(jí)以上潔凈環(huán)境；廢液處理系統(tǒng)支持清洗液循環(huán)利用（回收率＞85%），降低危廢成本。安全防護(hù)方面，配備漏電保護(hù)、緊急制動(dòng)按鈕及泄漏檢測(cè)裝置，符合SEMI安全標(biāo)準(zhǔn)。

技術(shù)優(yōu)勢(shì)

兼容性強(qiáng)：適配6-12英寸晶圓，支持單片或多片處理，可配置EFEM傳輸系統(tǒng)與OHT天車，實(shí)現(xiàn)干進(jìn)干出自動(dòng)化流程。

低能耗與低成本：采用節(jié)能型加熱元件和優(yōu)化的干燥流程，運(yùn)行能耗低于傳統(tǒng)設(shè)備30%?；瘜W(xué)液自動(dòng)補(bǔ)充系統(tǒng)減少耗材浪費(fèi)，適合大批量生產(chǎn)

模塊化定制：可根據(jù)需求選配超聲波、毛刷、HPC等功能模塊，或調(diào)整槽體數(shù)量（如12槽系統(tǒng)）以滿足復(fù)雜工藝需求（如TSV硅通孔清洗、功率器件背面減?。?/p>

應(yīng)用場(chǎng)景

核心用途：光刻膠剝離后清洗、氮化硅/氧化硅刻蝕、金屬鍍前預(yù)處理、封裝TSV結(jié)構(gòu)清潔等。

適用領(lǐng)域：集成電路制造（如中芯國(guó)際、長(zhǎng)江存儲(chǔ)產(chǎn)線）、MEMS傳感器加工、功率器件（SiC、GaN）圖形化、醫(yī)療機(jī)械精密清洗等。

濕法EKC清洗機(jī)憑借其高效化學(xué)濕法工藝、智能化控制及環(huán)保設(shè)計(jì)，成為半導(dǎo)體制造中的設(shè)備，尤其在保障原子級(jí)潔凈度、提升芯片良率方面表現(xiàn)突出。未來可通過配方優(yōu)化（如低表面張力添加劑）和AI驅(qū)動(dòng)的參數(shù)優(yōu)化，進(jìn)一步應(yīng)對(duì)深孔結(jié)構(gòu)清洗、3nm以下制程需求。