目錄:上海乾拓貿(mào)易有限公司>>力士樂(lè)|REXROTH電磁閥>> HM 20-2X/100-C-K35REXROTH壓力傳感器R901342024的驅(qū)動(dòng)方式
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更新時(shí)間：2025-05-10 07:35:47瀏覽次數(shù)：1008評(píng)價(jià)
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| 加工定制 | 否 | 輸出信號(hào) | 其他 |
|---|---|---|---|
| 制作工藝 | 其他 |
REXROTH壓力傳感器R901342024的驅(qū)動(dòng)方式
性能介紹：
由于隨著應(yīng)力的變化電場(chǎng)變化微?。ㄒ簿驼f(shuō)壓
電系數(shù)比較低），所以石英逐漸被其他的壓電
較低的環(huán)境下才能夠應(yīng)用。磷酸二氫胺屬于人
造晶體，相對(duì)密度1.80，熔點(diǎn)190℃，能夠承
晶體所替代。而酒石酸鉀鈉具有很大的壓電靈
敏度和壓電系數(shù)，但是它只能在室溫和濕度比
受高溫和相當(dāng)高的濕度，在空氣中穩(wěn)定。
技術(shù)參數(shù)：
精度等級(jí) 1）
％
<0.5
溫度系數(shù)
生命周期
6000萬(wàn)個(gè)負(fù)載循環(huán)或60000小時(shí)
重量
米
公斤
0.06
根據(jù)DIN EN 60068-2-27允許的沖擊和振動(dòng)負(fù)載
15 g / 11 ms / 3軸
零點(diǎn)和范圍
<0.1％/ 10 K
磁滯 2）
％
<0.15
參考條件下的漂移（1年）
％
<0.1
功能說(shuō)明：
它是一種在硅芯片的一面沉積柵電結(jié)構(gòu)的器
件。柵電和長(zhǎng)度傳感器硅芯片間有一層約為
荷載流子,并被收集和存儲(chǔ)在硅芯片的勢(shì)阱中
。勢(shì)阱是當(dāng)在柵電上加正電壓時(shí),在電場(chǎng)的
0.1～0.12微米厚的SiO2透明絕緣層，形成電
容陣列。由于柵電可以透光，硅芯片是一種
光敏材料,當(dāng)光照射在其上時(shí)，在內(nèi)部產(chǎn)生電
作用下,與電相鄰的硅芯片表面的正電荷被
推離后形成的一個(gè)耗盡層。
線性誤差：
這是一個(gè)對(duì)力士樂(lè)壓力傳感器初始誤差影響較
非線性，但對(duì)于帶放大器的傳感器，還應(yīng)包括
小的因素，該誤差的產(chǎn)生原因在于硅片的物理
放大器的非線性。線性誤差曲線可以是凹形曲
線，也可以是凸形曲線稱(chēng)重傳感器。
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