全自動(dòng)直流離子濺射儀為掃描電鏡用戶(hù)在制樣過(guò)程中提供了更廣泛的選擇，以便適用支持掃描電子顯微鏡所需的涂層要求。在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及人機(jī)界面方面更加注重人性，簡(jiǎn)單智能。對(duì)于SEM樣品常規(guī)適用黃金濺射，GVC-1000提供了一個(gè)低成本的解決方案，同時(shí)可以通過(guò)更換不同的靶材（金、鉑、銥、銀、銅等），以達(dá)到更細(xì)顆粒的涂層。同時(shí)通過(guò)智能的人機(jī)界面精確、簡(jiǎn)單、方便控制儀器，同時(shí)具有估算鍍層厚度，實(shí)時(shí)顯示真空度，濺射電流。設(shè)定濺射時(shí)間。以及靶材的剩余情況。
GVC-1000離子濺射儀是專(zhuān)用于掃描電鏡（SEM）的樣品噴金儀器,能夠極為有效的提供樣品的導(dǎo)電性及導(dǎo)熱性,確保恒沉積速率,減少等離子體對(duì)樣品的熱影響和離子轟擊損傷.顯著提供掃描電鏡觀測(cè)結(jié)果。
15s噴金效果圖 30s噴金效果圖 60s噴金效果圖
金顆粒分布的均勻性和顆粒大小，通過(guò)場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡觀測(cè)，不同時(shí)間內(nèi)金顆粒分布非常均勻，顆粒度在10-20nm之間
濺射技術(shù)
離子濺射儀在電子顯微鏡領(lǐng)域內(nèi)，往往需要對(duì)樣品進(jìn)行表面鍍膜從而使樣品表面成像或者圖像質(zhì)量得到改善。在樣品表面覆蓋一層導(dǎo)電的金屬薄膜可以消除荷電反應(yīng)，降低電子束對(duì)樣品表面的熱量損傷，可以提高SEM對(duì)樣品進(jìn)行形貌觀察,所需要的二次電子信號(hào)量。
系統(tǒng)特點(diǎn)：
○ 儀器采用微處理器控制，自動(dòng)化程度高、精確控制、易于操作；
○ 5英寸彩色觸摸屏，可實(shí)時(shí)顯示真空度、濺射電流、設(shè)定濺射時(shí)間、剩余濺射時(shí)間、膜厚估算等；
○ 可濺射金、銀、銅、鉑等常用靶材；
○ 實(shí)時(shí)顯示設(shè)備運(yùn)行時(shí)間、靶材使用時(shí)間，方便了解設(shè)備情況；
○ 內(nèi)置過(guò)流、真空保護(hù)，在濺射電流過(guò)高或真空較差時(shí)自動(dòng)中斷，安全可靠；
○ 高靈敏度微調(diào)閥，可精確控制氣體流量；
○ 靶材組件采取翻蓋式設(shè)計(jì)，操作簡(jiǎn)潔、方便；
○ 內(nèi)置用戶(hù)使用向?qū)Ш驼f(shuō)明書(shū)，方便用戶(hù)操作。
指 標(biāo) 參 數(shù)：
外形尺寸： 424× 290×2 65 (mm） 工作電壓： 200-240VAC 50H z
濺射電壓： DC2400V 控制模式： 微處理器控制
功率： 500W 濺射電流： ≤30 mA
濺射時(shí)間： ≤600s 極限真空 ： 0.1Pa
工作真空： ≤30Pa 膜層厚度： 內(nèi)置膜厚估算（金靶）
真空測(cè)量： 電阻規(guī) 真空 速 率： ＜2L /s
1）需要濺射噴金的樣品
a)類(lèi)樣品是電子束敏感的樣品，主要包括生物樣品，塑料樣品等。SEM中的電子束具有較高能量，在與樣品的相互作用過(guò)程中，它以熱的形式將部分能量傳遞給樣品。如果樣品是對(duì)電子束敏感的材料，那這種相互作用會(huì)破壞部分甚至整個(gè)樣品結(jié)構(gòu)。這種情況下，用一種非電子束敏感材料制備的表面鍍層就可以起到保護(hù)層的作用，防止此類(lèi)損傷；
b)另一類(lèi)樣品是非導(dǎo)電的樣品，由于樣品不導(dǎo)電，其表面帶有“電子陷阱”，這種表面上的電子積累被稱(chēng)為“充電”。為了消除荷電效應(yīng)，可在樣品表面鍍一層金屬導(dǎo)電層，鍍層作為一個(gè)導(dǎo)電通道，將充電電子從材料表面轉(zhuǎn)移走，消除荷電效應(yīng)。在掃描電鏡成像時(shí)，濺射材料可以增加信噪比，從而獲得更好的成像質(zhì)量。
2)濺射材料
常用的濺射材料為金，導(dǎo)電性高。
噴金儀的真空度越高，所濺射的金屬顆粒越小，可以減少樣品表面形貌失真的情況。當(dāng)需要超高分辨率成像時(shí)，高真空噴金儀，同時(shí)還可以選用其他濺射材料，如：鉻，銥等，濺射的晶粒更細(xì)小。
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