一、RST5060F電化學(xué)工作站主要技術(shù)參數(shù):
儀器架構(gòu)：恒電位儀、恒電流儀
接地模式：可根據(jù)體系要求設(shè)置成實(shí)地模式或浮地模式
槽壓：±15V
電位掃描范圍：±12.8V
CV最小電位增量：0.0125mV
電位控制精度：<±0.5mV
電位控制噪聲：<0.01mV
電位上升時(shí)間：<0.25uS
電位測(cè)量零位：自動(dòng)校正
電位更新及阻抗采集速率：10MHz
電位測(cè)量低通濾波器：自動(dòng)或手動(dòng)設(shè)置
電位測(cè)量精度：滿量程的0.1%
掃描速度：0.000001V/S～20000V/S
參比電極輸入阻抗//電容：>1013Ω//<10pF
恒電流輸出 ：±500mA
輸入偏置電流：<0.1pA
電流測(cè)量分辨率：電流量程的0.00076%，最小0.2fA
電流測(cè)量零位：自動(dòng)校正
電流測(cè)量量程：1pA～500mA(25檔)
前置放大倍數(shù)：5×10×100
電流測(cè)量靈敏度：1×10-12A/V
電流測(cè)量精度：滿量程的0.1%
電流測(cè)量低通濾波器：自動(dòng)或手動(dòng)設(shè)置
方波伏安法頻率：1Hz~100kHz
CA和CC脈沖寬度：0.1mS～1200S
DPV脈沖寬度：0.05mS～64S
IR降補(bǔ)償：自動(dòng)或手動(dòng)設(shè)置（10Ω~1MΩ）
多階躍循環(huán)次數(shù)：1000次
雙通道高速ADC：18bit@1Msps
數(shù)據(jù)長(zhǎng)度：20，000，000點(diǎn)
通氮攪拌及敲擊控制輸出：二路開(kāi)關(guān)量信號(hào)（+5V/10mA）
擴(kuò)展輸出：二路光電隔離數(shù)字量信號(hào)
儲(chǔ)能電化學(xué)測(cè)量保護(hù)模式：極性、電壓、電流、時(shí)間、鏈路
電極智能柔性保護(hù) ：電壓超載、電流超載
儀器尺寸：36*30*14（立方厘米）
二、RST5060F電化學(xué)工作站38種電化學(xué)方法包括：
線性掃描伏安法LSV
恒電位電解Q-T曲線
線性掃描溶出伏安法
恒電位溶出I-T曲線
線性掃描循環(huán)伏安法LCV
恒電位溶出Q-T曲線
動(dòng)電流掃描I-E曲線
開(kāi)路電位E-T曲線OCPT
階梯伏安法SV
電位溶出E-T曲線
階梯溶出伏安法
單電流階躍計(jì)時(shí)電位法CP
階梯循環(huán)伏安法SCV
多電流階躍計(jì)時(shí)電位法
方波伏安法SWV
控制電流E-T曲線
方波溶出伏安法
塔菲爾圖Tafel
方波循環(huán)伏安法SWCV
氯離子濃度監(jiān)測(cè)
差示脈沖伏安法DPV
宏電池電流監(jiān)測(cè)
差示脈沖溶出伏安法
高阻電位計(jì)
常規(guī)脈沖伏安法NPV
零阻電流計(jì)
差示常規(guī)脈沖伏安法DNPV
環(huán)形掃描
單電位階躍計(jì)時(shí)電流法CA
差分脈沖電流檢測(cè)
單電位階躍計(jì)時(shí)電量法CC
雙差分脈沖電流檢測(cè)
多電位階躍計(jì)時(shí)電流法
三脈沖電流檢測(cè)
多電位階躍計(jì)時(shí)電量法
積分脈沖電流檢測(cè)
恒電位電解I-T曲線
控制電位電解庫(kù)侖法
●宏方法（用戶可自編腳本進(jìn)行多種電化學(xué)方法的組合運(yùn)行）
三、配置單：
項(xiàng)目
品名
數(shù)量
1
RST電化學(xué)工作站主機(jī)
1臺(tái)
2
RST電子版程序軟件
1個(gè)
3
RST安裝使用說(shuō)明書(shū)
1本
4
3mm玻碳工作電極
1支
5
0.5*15mm鉑絲輔助電極
1支
6
232甘汞參比電極
1支
7
RST-30模擬電解池
1個(gè)
8
RS-232/USB數(shù)據(jù)線
1條
9
電極電纜線
1條
10
電源線
1條
11
DJ-3多功能電解池
1個(gè)
12
0.3um氧化鋁 電極磨料
1瓶
13
P-4拋光底板（帶拋光布）
1塊
14
短接線
2條
15
安裝調(diào)試儀器
1份
