超高精度和最小化探針針尖變量的亞埃米級表面粗糙度測量，晶圓的表面粗糙度對于確定半導體器件的性能是至關重要的，對于的元件制造商，芯片制造商和晶圓供應商都要求對晶圓商超平坦表面進行更精確的粗糙度控制，通過提供低于0.5埃 的業(yè)界低噪音，并將與其真正的非接觸式是模式相結(jié)合，Park NX-Wafer能夠可靠地獲得具有最小針尖變量的亞埃米級粗糙度測量，Park的串擾消除還允許非常平坦的正交XY掃描，不會有背景曲率，及時在最平坦的表面上，也不需要過多考慮掃描位置，速率和大小，這使得其非常精確和可重復地對微米級粗糙度到長范圍不平整表面進行測量。帕克的智能ADR技術(shù)提供全自動的缺陷檢測和識別，使得關鍵的在線過程能夠通過高分辨3D成像對缺陷類型進行分類并找出他們的來源，智能ADR專門為半導體工業(yè)設計提供的缺陷檢測解決方案，具有自動目標定位，且不需要經(jīng)常損壞樣品的密集參考標記，與傳統(tǒng)的缺陷檢測方法相比，智能ADR過程提高了1000%的生產(chǎn)率，此外，帕克具有創(chuàng)造性True-Contact模式AFM技術(shù)，使得新ADR有能力提高20倍的更長的探針壽命。
工業(yè)的低噪聲帕克原子力顯微鏡于長距離滑動臺相結(jié)合，成為用于化學機械拋光計量的原子力輪廓儀，新的低噪聲AFP為局部和全面均勻性測量提供了非常平坦的輪廓掃描，具有輪廓掃描精度和市場可重復性，這保證在寬范圍的輪廓量程上沒有非線性或高噪聲背景去除的高精度測量。
主要技術(shù)特點
200 mm電動XY平臺 | 300 mm電動XY平臺 | 電動Z平臺 |
行程可達275mm x 200mm, 0.5 μm分辨率 | 行程可達400 mm x 300 mm， 0.5μm分辨率 | 25 mm Z行程距離 0.08μm 分辨率 |
電動聚焦平臺 | 樣品厚度 | COGNEX圖像識別 |
8mm 行程Z軸光學距離 | 厚至 20mm | 圖像校正分辨率1/4 pixel |
200mm 系統(tǒng) | 300mm 系統(tǒng) | 設備需求環(huán)境 |
2732mm x1100mm x 2400 mm 大約2110kg 操作員空間:3300mm x 1950mm | 3486mm x 1450 mm x 2400 mm 大約2950 kg 操作員空間: 4770mm x 3050 mm | 室溫10 ℃~40 ℃ 操作18 ℃~24 ℃ 濕度 30%~60% |
主要功能
1.晶圓和基底的自動缺陷檢測
新的300mm光片ADR提供了從缺陷映射的坐標轉(zhuǎn)換和校正缺陷的測量和放大掃描成像的全自動缺陷復查過程，不需要樣品晶圓做任
何的標記，
2.亞埃米級表面粗糙度控制
通過在整個晶圓區(qū)域提供低于0.5埃的業(yè)界噪音下線，可以對最平坦的基底和晶圓進行精確，可重復和可再現(xiàn)的亞埃米級粗
糙度測量，并最小化針尖的變量，即使對掃描尺寸達到100μm x 100 μm的遠距離波長，也能夠獲得非常精確和可重復的表面測
量
3.CMP進行表征的長范圍輪廓掃描
Park NX-Wafer 實現(xiàn)了的CMP測量，包括凹陷、侵蝕和邊緣過度侵蝕（EOE）的局部和局部的平坦度測量。
應用
線寬測量
超光滑材料表面粗糙度測量
晶圓缺陷自動檢測應用
相關文獻
Ardavan Zandiatashbar; et al.“Automated AFM for small-scale and large-scale surface profiling in CMP applications” Proc. SPIE 10585, Metrology, Inspection, and Process Control for Microlithography XXXII, 105852U (13 March 2018)
